全球首顆!中國芯片突傳重大突破!30000億賽道徹底沸騰,什么情況?

全球首顆!中國芯片突傳重大突破!30000億賽道徹底沸騰,什么情況?
2023年10月11日 07:43 券商中國

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  國產(chǎn)芯片傳來重大利好消息。

  10月10日,據(jù)科技日報報道,近日,清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強、副教授高濱團隊基于存算一體計算范式,研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)(機器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成)的憶阻器存算一體芯片,在支持片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片領(lǐng)域取得重大突破,有望促進人工智能、自動駕駛可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域發(fā)展。相關(guān)成果在線發(fā)表于最新一期的《科學(xué)》。

  回到二級市場,10月10日午后,A股芯片板塊逆勢走高,存儲芯片方向領(lǐng)漲。其中,好上好強勢斬獲5連板,冠石科技斬獲3連板,同有科技聚辰股份唯捷創(chuàng)芯均大漲超10%。據(jù)Wind數(shù)據(jù)顯示,截至收盤,A股半導(dǎo)體板塊的總市值升至約31000億元。

  另外,韓國芯片巨頭三星電子或?qū)⒈鲆活w“巨雷”。10月11日,三星電子將披露2023年第三季度初步業(yè)績,據(jù)LSEG SmartEstimate對19位分析師進行的調(diào)查顯示,7月至9月當(dāng)季三星電子的營業(yè)利潤可能將同比暴跌80%。

  重大突破

  10月10日,據(jù)科技日報報道,近日,清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強、副教授高濱團隊基于存算一體計算范式,研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)(機器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成)的憶阻器存算一體芯片,在支持片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片領(lǐng)域取得重大突破,有望促進人工智能、自動駕駛可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域發(fā)展。相關(guān)成果在線發(fā)表于最新一期的《科學(xué)》。

憶阻器存算一體芯片及測試系統(tǒng)(清華大學(xué)供圖)憶阻器存算一體芯片及測試系統(tǒng)(清華大學(xué)供圖)

  該芯片包含支持完整片上學(xué)習(xí)所必需的全部電路模塊,成功完成圖像分類、語音識別和控制任務(wù)等多種片上增量學(xué)習(xí)功能驗證,展示出高適應(yīng)性、高能效、高通用性、高準(zhǔn)確率等特點,有效強化智能設(shè)備在實際應(yīng)用場景下的學(xué)習(xí)適應(yīng)能力。

  相同任務(wù)下,該芯片實現(xiàn)片上學(xué)習(xí)的能耗僅為先進工藝下專用集成電路(ASIC)系統(tǒng)的1/35,同時有望實現(xiàn)75倍的能效提升,展現(xiàn)出卓越的能效優(yōu)勢,極具滿足人工智能時代高算力需求的應(yīng)用潛力,為突破馮·諾依曼傳統(tǒng)計算架構(gòu)下的能效瓶頸提供了一種創(chuàng)新發(fā)展路徑。

  據(jù)清華大學(xué)介紹,記憶電阻器(Memristor),是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件。它可以在斷電之后,仍能“記憶”通過的電荷,被當(dāng)做新型納米電子突觸器件。

  2012年,清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授錢鶴、吳華強團隊開始研究用憶阻器來做存儲,但由于憶阻器的材料器件優(yōu)化和集成工藝不成熟,團隊只能靠自己在實驗室里摸索,在一次又一次失敗的實驗中探索提高器件的一致性和良率。

  兩年后,清華大學(xué)與中科院微電子所、北京大學(xué)等單位合作,優(yōu)化憶阻器的器件工藝,制備出高性能憶阻器陣列,成為我國率先實現(xiàn)憶阻器陣列大規(guī)模集成的重要基礎(chǔ)。

  2020年,錢鶴、吳華強團隊基于多陣列憶阻器,搭建了一個全硬件構(gòu)成的完整存算一體系統(tǒng),在這個系統(tǒng)上高效運行了卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法,成功驗證了圖像識別功能,比圖形處理器芯片的能效高兩個數(shù)量級,大幅提升了計算設(shè)備的算力,實現(xiàn)了以更小的功耗和更低的硬件成本完成復(fù)雜的計算。

  清華大學(xué)集成電路學(xué)院博士后姚鵬介紹,該芯片參照仿生類腦處理方式,可實現(xiàn)不同任務(wù)的快速“片上訓(xùn)練”與“片上識別”,能夠有效完成邊緣計算場景下的增量學(xué)習(xí)任務(wù),以極低的耗電適應(yīng)新場景、學(xué)習(xí)新知識,以滿足用戶的個性化需求。

  該研究得到科技部科技創(chuàng)新2030“腦科學(xué)與類腦研究”重大項目、國家自然科學(xué)基金委后摩爾重大研究計劃、北京集成電路高精尖創(chuàng)新中心等支持。

  逆勢大爆發(fā)

  回到二級市場,在A股三大指數(shù)集體調(diào)整的背景下,10月10日午后,A股芯片板塊逆勢走高,存儲芯片方向領(lǐng)漲。其中,好上好強勢斬獲5連板,冠石科技斬獲3連板,同有科技、聚辰股份、唯捷創(chuàng)芯均大漲超10%。據(jù)Wind數(shù)據(jù)顯示,截至收盤,A股半導(dǎo)體板塊的總市值升至約31000億元。

  今日芯片板塊逆勢走強,或許與以下兩則利好消息有關(guān):

  一是,10月9日,韓國總統(tǒng)辦公室通報,美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設(shè)備,無需其它許可。意味著,在無需單獨批準(zhǔn)的情況下,三星電子、SK海力士可以向其中國工廠供應(yīng)含美國技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備。作為全球最大和第二大存儲芯片制造商,三星電子、SK海力士在中國市場深耕多年。

  二是,市場消息稱,存儲芯片價格已觸底反彈,三星等國際大廠正在醞釀漲價,漲價預(yù)期主要集中在DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)芯片領(lǐng)域。

  另外,分析人士指出,華為、蘋果等多家終端廠商發(fā)布新品帶動消費電子市場回暖,產(chǎn)業(yè)鏈上游供應(yīng)商訂單飽滿,有望迎來需求復(fù)蘇;國產(chǎn)化替代進程有望加速;存儲芯片價格持續(xù)復(fù)蘇,主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn)漲價形勢下,有望進入新一輪漲價周期。

  “巨雷”將至

  存儲芯片周期反轉(zhuǎn)拐點來臨前夕,韓國芯片巨頭三星電子或?qū)⒈鲆活w巨雷。

  10月11日(周三),三星電子將披露2023年第三季度初步業(yè)績。據(jù)LSEG SmartEstimate對19位分析師進行的調(diào)查顯示,7月至9月當(dāng)季三星電子的營業(yè)利潤可能降至2.1萬億韓元(合15.6億美元)。而相比之下,去年該季度的營業(yè)利潤為10.85萬億韓元。意味著,其第三季度利潤將同比暴跌80%。

  作為該公司最大的收入來源的三星電子芯片部門,其季度虧損可能在3萬億至4萬億韓元之間。

  根據(jù)分析師的平均預(yù)測,三星移動業(yè)務(wù)的營業(yè)利潤可能在3萬億韓元左右,因為該公司在本季度推出了高端折疊式智能手機,在全球智能手機市場低迷的情況下擴大了銷售。

  導(dǎo)致利潤出現(xiàn)如此大降幅的原因是,內(nèi)存芯片價格未能如市場預(yù)期迅速回升。且分析人士表示,三星大幅削減芯片產(chǎn)量的舉措也沖擊了產(chǎn)出規(guī)模。

  在4月份首次宣布減產(chǎn)后,分析師表示,三星將在第三季度進一步減產(chǎn),以減少庫存,抵御芯片供應(yīng)過剩導(dǎo)致的數(shù)十年來最嚴(yán)重的行業(yè)低迷。

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責(zé)任編輯:王涵

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